为何都盯上了氮化镓?
氮化镓的带隙能量(即使电子脱离束缚并允许电流流动所需的最小电压)是硅的三倍多。其击穿电场强度(材料发生短路前所能承受的电压强度)是硅的十一倍。其电子迁移率(衡量...
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氮化镓的带隙能量(即使电子脱离束缚并允许电流流动所需的最小电压)是硅的三倍多。其击穿电场强度(材料发生短路前所能承受的电压强度)是硅的十一倍。其电子迁移率(衡量...
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